sábado, 23 de agosto de 2008

Camino a la Memoria No-Volátil Molecular, El Graphene


A como me interesan estas noticias, me llega de parte de IEEE Spectrum Online, y trata sobre el uso que le han encontrado al material Graphene una malla de 1 molécula de carbón de grosor.

Aquí la noticia en inglés.
http://www.spectrum.ieee.org/aug08/6571

Les comentaré un poco sobre de que trata el artículo...

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El Graphene (no tengo idea cual sería el nombre en español de este material, pero se lee como "Grafín") tiene una particularidad muy interesante, según el artículo, los electrones pueden fluir unas 100 veces más rápido a través de él que a través del silicio (el material del cual están compuesto una muy buena parte de los circuitos integrados, y de la tecnología de los semiconductores, básica en la electrónica moderna), el problema fue pues, regular este flujo. Un uso básico del transistor es la de interruptor, así que precisamente fué lo que buscaban hacer con este material, la manera de poder controlar este rápido flujo de electrones sobre este material.

Hasta ahora han hecho un avance importante, construyeron una estructura parecida a un transistor, donde el graphene es parte de la unión entre dos electrodos y en donde un tercer electrodo se posa entre los otros dos, separado del graphene por una delgada capa de Dióxido de Silicio (que sirve como aislante, conocido también como dieléctrico). Encontraron que al aplicarle al compuesto un campo eléctrico, podrían cambiar la química de éste. Con la estructura anterior lograron bajar la conductividad del material varias veces, cortando casi completamente la corriente que pasaba a través de él, al volver aplicar otro campo eléctrico, el efecto se revirtió casi completamente. Habían logrado el efecto de interruptor de un transistor.

Este efecto, aunque no se les explicó del todo, parece que es causado debido al desprendimiento de una molécula de la capa de dióxido de silicio, que hace reacción con el graphene, disminuyendo su conductividad. Sin embargo se trata de una reacción completamente controlada, y reversible al parecer, cosa que también habre un abanico de posibilidades para la química molecular y un nuevo camino para nuevos dispositivos electrónicos moleculares.

Algo con lo que estuvieron experimentando, fue con la retención de el estado del material (o sea, que después de aplicar el campo eléctrico, pueda ser retirado (el campo) y que el material pueda mantener ese estado modificado durante cierto tiempo), los resultados abren la posibilidad de crear memorias no-volátiles (como la memoria utilizada en las memorias USB, que no necesita energía para mantener la información guardada). Algo también impresionante, es que dicen que es posible crear "transistores" (aunque prefieren llamarlo por ahora "dispositivos", porque evidentemente trabajan de una manera muy diferente) hecha con una sola molécula, y crear así unidades de memoria de 1nm x 1nm (un nanómetro "nm", es la mil millonésima parte de un metro, escrito de otra manera 0.0000000001 metros, o un milímetro dividido un millón de veces, bueno... es pequeño ya sabrán). El problema hasta ahora es que el cambio de estado es todavía muy lento para los dispositivos digitales de hoy en día, sin embargo, así como con muchas tecnologías, se prentende alcanzar mejores resultados con el desarrollo progresivo de la tecnología.

Se dice que esta tecnología todavía es muy nueva, y no creen que se aplique realmente en un circuito hasta dentro de cerca de una década, por ciertos problemas que todavía no resuelven.

Me parece todo esto muy interesante, pasar de los tubos al vacío, luego a la tecnología sólida de los semiconductores, el desarrollo de los transistores que da lugar a la tecnología CMOS, y ahora la nanotecnología que da base a un nuevo nivel, un brinco que me parece parecido al brinco que se dió desde los tubos de vacío al transistor. Que interesante poder vivirlo, este cambio de generación. Más rápido, más pequeño, más eficiente. =D.

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